Alüminium Nitrid Substrat

Mullitsubstrat(3 a1203. 2Si02): A1203-Si02 binar sistemindəki ən sabit kristal fazalardan biridir, baxmayaraq ki, mexaniki qüvvə və istilik keçiriciliyi A1203 ilə müqayisədə aşağıdır, lakin onun dielektrik davamlılığı Aşağıdır, buna görə də siqnalın daha da yaxşılaşdırılması gözlənilir. ötürmə sürəti. Termal genişlənmə əmsalı da aşağıdır ki, bu da LSI-nin istilik gərginliyini azalda bilər və keçirici materialın istilik genişlənməsi əmsalı fərqi Mo, W kiçikdir və bununla da velosiped zamanı dirijor arasında aşağı gərginliyə malikdir.

Alüminiumnitrid substratı:
a. Xammal: AIN qeyri-təbii varlıqdır, lakin 1862-ci ildə süni mineraldır, ilk dəfə Genther et al tərəfindən sintez edilmişdir. Aln tozunun təmsili nitrid metodunu və birbaşa nitridləşmə metodunu azaltmaqdır. Birincisi A1203-də yüksək saflıqda karbon reduksiyası ilə reaksiya verir, sonra azotla reaksiya verir, ikincisi isə birbaşa Nitridləşmədir. ;

b. İstehsal üsulu: A1203substratİstehsal AIN substratlarının istehsalında istifadə edilə bilər, burada üzvi laminasiya üsulundan maksimum istifadə, yəni AIN xammalı tozu, üzvi yapışdırıcı və həlledici, səthi aktiv maddə qarışıq Seramik məhlul, keçilmiş, laminat, isti pres, yağdan təmizləmək, yandırmaq

C. AIN substratının xüsusiyyətləri: AIN 10 dəfədən artıqdır və CTE silikon vafli ilə uyğun gəlir. AIN materialı nisbətən A1203 ilə əlaqəlidir, izolyasiya müqaviməti, izolyasiya və dielektrik sabitliyi daha aşağıdır. Bu xüsusiyyətlər qablaşdırma substratı tətbiqləri üçün çox nadirdir;

d. Tətbiq: VHF (Ultra Yüksək Tezlik) Tezlik Kəməri Güc Gücləndirici Modulu, Yüksək Güclü Cihaz və Lazer Diod Substratı üçün istifadə olunur.