Silikon nitrid lövhəsi və onun istehsal üsulu

Patent adı:Silikon Nitrid Substratıvə onun istehsal üsulu və silikon nitrid lövhəsindən istifadə edərək silisium nitrid dövrə lövhəsi və yarımkeçirici modulun istehsal üsulu
Texniki sahə:
Hazırkı ixtira daxildirSilikon Nitrid Substratıvə onun istehsal üsulları. Bundan əlavə, ixtira yuxarıda göstərilənlərdən istifadə edərək silisium nitridi dövrə substratlarının və yarımkeçirici modulların istifadəsini nəzərdə tutur.Silikon Nitrid Substratı.
Fon texnikası:
Son illərdə tarlalarda və elektrik nəqliyyat vasitələrinin digər sahələrində yüksək gərginlik və böyük cərəyanla işləyə bilən güc yarımkeçirici modulu (Power Semiconductor Module) (IGBT, power MOSFET və s.). Güc yarımkeçirici modulunda istifadə olunan substrat üçün, izolyasiya edən keramika substratının bir səthi metal dövrə lövhəsi ilə birləşmək üçün istifadə edilə bilər və başqa bir səthdə metal radiator plitəsi olan keramika dövrə substratı istifadə edilə bilər. Bundan əlavə, metal dövrə lövhəsində yarımkeçirici elementlər və s. Yuxarıda metal dövrə lövhələri və metal dövrə lövhələri və metal istilik yuvaları olan yuxarıdakı izolyasiya edilmiş keramika substratlarının birləşməsi, məsələn, məsələn, məsələn, məsələn qanuna. Belə bir güc yarımkeçirici modulu üçün böyük cərəyanlardan keçərək istilik yayılması daha böyükdür. Bununla belə, yuxarıda qeyd olunan izolyasiya edən keramika substratı istilik keçiriciliyi baxımından aşağı olduğundan, yarımkeçirici komponentlərin istilik yayılmasına mane olan bir amilə çevrilə bilər. Bundan əlavə, termal gərginliyin yaranması, izolyasiya edən keramika substratı ilə metal dövrə lövhəsi və metal soyuducu plitə arasındakı istilik genişlənmə sürətindən qaynaqlanır. Nəticədə, izolyasiya keramika döşənəyi krekinq və məhv, və ya metal dövrə və ya metal istilik yayılması board izolyasiya keramika döşənəyi lüt.